Em geral
Yueqing Aiso TBBX tipo fiexd de compensação reativa de alta tensão conjunto completo/dispositivo painel de comutação (doravante referido como o dispositivo) é adequado para sistema de energia CA de 6-35kV com frequência de 50Hz.É usado principalmente no sistema de energia para ajustar a tensão do barramento e a potência reativa, melhorar o fator de potência, melhorar a qualidade da tensão e reduzir a perda de rede.
Podemos fornecer a solução mais adequada e razoável de acordo com os requisitos do cliente.Contanto que você nos diga seus requisitos ou desenhos, podemos fornecer uma solução completa.E os principais componentes, de acordo com suas necessidades, escolha a marca, ou podemos fornecer componentes econômicos para reduzir seu custo de compra.
Padrões executivos
GB50227-2008 “Código para projeto de dispositivo de capacitor shunt
JB/T7111-1993 “Dispositivo de condensador de derivação de alta tensão”
JB/T10557-2006 “Dispositivo de compensação local reativo de alta tensão”
DL/T 604-1996 “Condições técnicas para pedidos de capacitores shunt de alta tensão”
Índice de desempenho técnico principal
1.Desvio de capacitância
1.1A diferença entre a capacitância real e a capacitância nominal do dispositivo está dentro da faixa de 0- +5% da capacitância nominal.O padrão é maior do que outras fábricas
1.2A relação entre a capacitância máxima e mínima entre quaisquer dois terminais de linha do dispositivo não deve exceder 1,02.
2.Desvio de indutância
2.1Sob a corrente nominal, o desvio permitido do valor da reatância é 0~+5%.
2.2O valor da reatância de cada fase não deve exceder ± 2% do valor médio das três fases.
Estrutura e princípio de funcionamento
1. O dispositivo é uma estrutura de gabinete ou uma estrutura de quadro, que pode alternar o banco de capacitores manualmente e pode ser equipado com controlador automático de tensão e potência reativa para alternar automaticamente o banco de capacitores.
2. O dispositivo de estrutura de gabinete consiste em um painel de distribuição de entrada, um gabinete de reator em série, um gabinete de capacitor shunt e um barramento conectado.O gabinete do capacitor pode determinar o número de gabinetes de acordo com a capacidade de compensação e o esquema de configuração, que geralmente é composto por vários gabinetes.O corpo do gabinete é feito de solda de dobra de chapa de aço laminado a frio de alta qualidade ou conjunto de dobra de chapa de alumínio-zinco.
3.Layout da estrutura: quando a capacidade nominal de um único capacitor é de 30 quilowatts, o banco de capacitores é composto por uma estrutura de fileira dupla de três camadas (única), quando a capacidade nominal é superior a 100 quilowatts, duas camadas (única) estrutura de fileira dupla e quando a capacidade nominal é superior a 200 quilowatts, estrutura de fileira dupla de camada única (única).
O dispositivo de estrutura 4.Frame é composto de quadro de seccionador, reator de núcleo de ar seco, quadro de capacitor de derivação e cerca.Inclui pára-raios de óxido de zinco, capacitor de derivação, fusível de proteção único, bobina de descarga totalmente selada, isolador de poste, barramento de cobre (alumínio) e estrutura de metal.
•O conjunto de capacitores é encaixado na estrutura metálica, e o barramento de conexão e os isoladores de pilar são combinados para formar um circuito primário de acordo com o modo de conexão definido.
•A estrutura do banco de capacitores é geralmente do tipo montada, com estrutura firme e estável, economizando aço e instalação e transporte convenientes.
•As formas de instalação do capacitor podem ser divididas em tipo de camada única de três camadas, tipo de camada única de linha dupla e estrutura de linha dupla de camada dupla.
•Cada capacitor de fase geralmente é conectado em paralelo e depois em série.A superfície da armação de metal é galvanizada a quente ou pulverizada com plástico.
•A cerca (1,8 m de altura) pode ser colocada ao redor de todo o dispositivo, conforme necessário.A superfície da cerca é pulverizada com plástico.O material da estrutura é feito de perfis de alta qualidade.Ver Fig. 11-Fig.17 para o esboço e vista estrutural.
5. Seleção do reator em série
Os reatores série instalados no lado neutro geralmente escolhem o reator de núcleo seco;os reatores série instalados no lado da potência geralmente escolhem o reator de núcleo de ar, que pode ser empilhado em três fases ou instalado em fonte.
6. Proteção e controle secundários
O banco de capacitores adota dispositivo de monitoramento de proteção de capacitor de microcomputador, que é instalado no painel de distribuição de alta tensão.Possui dois modos de controle: controle automático manual e remoto, e os dois bloqueiam um ao outro.
Para o banco de capacitores que precisa de controle de comutação automática, o dispositivo de controle automático de tensão e potência reativa ou controlador de fator de potência é usado para comutar automaticamente o banco de capacitores por meio de amostragem, análise lógica e comutação de instrução.O controlador carrega a interface de comunicação RS232 ou RS485, que pode ser conectada a outros equipamentos de monitoramento na subestação para formar um sistema integrado de automação de subestação para atender aos requisitos de vários modos de operação e gerenciamento, como subestação autônoma ou subgerenciada e controle centralizado.
7.Requisito de intertravamento
O gabinete de entrada é equipado com chave de aterramento e intertravamento mecânico do disjuntor e intertravamento elétrico, e cada capacitor é fornecido com trava eletromagnética e trava de porta, desempenhando o papel de proteção de segurança.Quando todas as portas do gabinete não podem fechar ou abrir à vontade durante a operação, o interruptor principal disparará imediatamente;para a estrutura do quadro, o usuário deve instalar uma trava de codificação mecânica no mecanismo de operação da chave de isolamento no dispositivo do capacitor e na porta da cerca para formar um bloqueio de falha de operação com o disjuntor dianteiro.A porta da cerca deve ser trancada antes da operação e não deve ser aberta durante a operação, para evitar estritamente a ocorrência de todos os tipos de operação incorreta.
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